114 學年度分科測驗物理考科 第 24 題

在半導體製程中需要有曝光機（光源），將光罩上的線路圖形縮小投影成像到晶圓上。已知常用的光源波長有紫外光（UV）436 nm、365 nm，深紫外光（DUV）248 nm、193 nm及極紫外光（EUV）13.5 nm。某半導體公司在研發半導體製程中，曾在晶圓與光源間注入純水，利用波長193 nm曝光機在晶圓上製得比使用乾式157 nm曝光機更小的線路線寬。

光在單位面積單位時間內通過的能量值稱為光的強度。光在水中傳播時，其強度 I 會隨傳播距離 z 的增加而衰減，關係式為 I=I_0e^{-\alpha z}，其中 \alpha 為衰減係數、I_0 為起始強度、e 為自然常數（近似值2.7，其倒數 e^{-1}\approx0.37）。圖10是水的吸收光譜，橫軸為光源的原始波長，縱軸為光在水中的衰減係數。圖10中橫軸與縱軸為對數坐標，坐標軸上刻度的位置是由坐標軸刻度數值取以10為底的對數值而決定。

綜上所述，回答下列問題。