115 學年度學科能力測驗自然考科 第 49 題（a）

圖 17 為汞原子的部分能階 n（n＝0、1、2、…）與其能量 Eₙ 的示意圖，並以最高能量 E₀＝0 eV 為參考能量。其中 1 eV＝1.6×10⁻¹⁹ J。晶片製程使用的 365 nm 紫外光，其光子能量為 3.4 eV。

晶片先進製程使用的 13.5 nm 極紫外光（EUV），並採用反射鏡來匯聚與引導，如圖 18。EUV 於反射鏡上無法全部被反射，仍會有部分透射與被吸收。

圖 19（a）示意以重複的薄膜單元加強 EUV 反射效率。箭號 I₁ 代表入射光線，R₁、R₂、R₃ 依序對應自各薄膜單元界面反射而出的光線。每一單元包含兩層，EUV 在快波速介質（白色層）的波速大於慢波速介質（灰色層）。圖 19（a）內點線只示意反射來源，未精確表示反射與折射角度。

已知普朗克常數 h＝6.63×10⁻³⁴ J·s，真空中光速 c＝3×10⁸ m/s。