在半導體製程中需要有曝光機（光源），將光罩上的線路圖形縮小投影成像到晶圓上。已知常用的光源波長有紫外光（UV）436 nm、365 nm，深紫外光（DUV）248 nm、193 nm及極紫外光（EUV）13.5 nm。某半導體公司在研發半導體製程中，曾在晶圓與光源間注入純水，利用波長193 nm曝光機在晶圓上製得比使用乾式157 nm曝光機更小的線路線寬。
光在單位面積單位時間內通過的能量值稱為光的強度。光在水中傳播時，其強度 I 會隨傳播距離 z 的增加而衰減，關係式為 I=I_0e^{-\alpha z}，其中 \alpha 為衰減係數、I_0 為起始強度、e 為自然常數（近似值2.7，其倒數 e^{-1}\approx0.37）。圖10是水的吸收光譜，橫軸為光源的原始波長，縱軸為光在水中的衰減係數。圖10中橫軸與縱軸為對數坐標，坐標軸上刻度的位置是由坐標軸刻度數值取以10為底的對數值而決定。
綜上所述，回答下列問題。
在圖10中，若當光在水中傳遞10 cm後，其強度至少仍有起始強度的0.37倍，則可能的波長範圍為何？即 \lambda_{\mathrm{L}}<\lambda<\lambda_{\mathrm{H}}，求 \lambda_{\mathrm{L}} 及 \lambda_{\mathrm{H}}。（須有說明或計算過程）（4 分）